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深圳前海淘芯供应链管理有限公司
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产品分类
型号: C2M1000170J
发布时间： 2016/3/12 14:54:39 | 373 次阅读
型号: C2M1000170J
说明: MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
寿命周期: 新产品: 此制造商的新产品。
制造商: Cree, Inc.
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS
商标: Wolfspeed / Cree
安装风格: SMD/SMT
封装: Tube
晶体管极性: N-Channel
价格: 1~49 30.0819
50~99 29.4840
100~249 28.8370
250~499 28.5176
500~999 27.0106
1000以上 26.5765
封装/箱体: TO-263-7
Vds-漏源极击穿电压: 1.7 kV
Id-连续漏极电流: 5.3 A
RdsOn-漏源导通电阻: 1 Ohm
Vgsth-栅源极阈值电压: 3.1 V
Qg-栅极电荷: 13 nC
工作温度: + 150 C
下降时间: 40.4 ns
工作温度: - 55 C
上升时间: 4.8 ns
典型关闭延迟时间: 10.8 ns
典型接通延迟时间: 4 ns
通道数量: 1 Channel
技术: SiC
通道模式: Enhancement
深圳市淘芯电子有限公司（总部）
公司地址：深圳市福田区福强路4001号文化创意园A座513
联系人：郑小姐
手机号码：18926036359
联系电话：0755-82796668
传真：0755-83235989
邮编：518000
邮箱：2973016636@qq.com
说明: MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
寿命周期: 新产品: 此制造商的新产品。
制造商: Cree, Inc.
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS
商标: Wolfspeed / Cree
安装风格: SMD/SMT
封装: Tube
晶体管极性: N-Channel
价格: 1~49 30.0819
50~99 29.4840
100~249 28.8370
250~499 28.5176
500~999 27.0106
1000以上 26.5765
封装/箱体: TO-263-7
Vds-漏源极击穿电压: 1.7 kV
Id-连续漏极电流: 5.3 A
RdsOn-漏源导通电阻: 1 Ohm
Vgsth-栅源极阈值电压: 3.1 V
Qg-栅极电荷: 13 nC
工作温度: + 150 C
下降时间: 40.4 ns
工作温度: - 55 C
上升时间: 4.8 ns
典型关闭延迟时间: 10.8 ns
典型接通延迟时间: 4 ns
通道数量: 1 Channel
技术: SiC
通道模式: Enhancement
深圳市淘芯电子有限公司（总部）
公司地址：深圳市福田区福强路4001号文化创意园A座513
联系人：郑小姐
手机号码：18926036359
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