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深圳前海淘芯供应链管理有限公司
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产品分类
型号: C3M0065090D
发布时间： 2016/3/12 14:55:31 | 449 次阅读
型号: C3M0065090D
说明: MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
寿命周期: 新产品: 此制造商的新产品。
制造商: Cree, Inc.
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS
商标: Wolfspeed / Cree
安装风格: Through Hole
封装: Tube
晶体管极性: N-Channel
价格: 1~49 53.9066
50~99 52.8255
100~249 51.6461
250~499 50.9991
500~999 48.4111
1000以上 47.6003
封装/箱体: TO-247-3
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Id-连续漏极电流: 36 A
RdsOn-漏源导通电阻: 90 mOhms
Vgs-栅极-源极电压: - 8 V, + 18 V
Vgsth-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 30.4 nC
工作温度: + 150 C
配置: Single
下降时间: 25 ns
正向跨导-值: 11.6 S
工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 125 W
上升时间: 36 ns
典型关闭延迟时间: 28 ns
典型接通延迟时间: 21 ns
通道数量: 1 Channel
技术: SiC
通道模式: Enhancement
深圳市淘芯电子有限公司（总部）
公司地址：深圳市福田区福强路4001号文化创意园A座513
联系人：郑小姐
手机号码：18926036359
联系电话：0755-82796668
传真：0755-83235989
邮编：518000
邮箱：2973016636@qq.com
QQ：2973016636
说明: MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
寿命周期: 新产品: 此制造商的新产品。
制造商: Cree, Inc.
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS
商标: Wolfspeed / Cree
安装风格: Through Hole
封装: Tube
晶体管极性: N-Channel
价格: 1~49 53.9066
50~99 52.8255
100~249 51.6461
250~499 50.9991
500~999 48.4111
1000以上 47.6003
封装/箱体: TO-247-3
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Id-连续漏极电流: 36 A
RdsOn-漏源导通电阻: 90 mOhms
Vgs-栅极-源极电压: - 8 V, + 18 V
Vgsth-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 30.4 nC
工作温度: + 150 C
配置: Single
下降时间: 25 ns
正向跨导-值: 11.6 S
工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 125 W
上升时间: 36 ns
典型关闭延迟时间: 28 ns
典型接通延迟时间: 21 ns
通道数量: 1 Channel
技术: SiC
通道模式: Enhancement
深圳市淘芯电子有限公司（总部）
公司地址：深圳市福田区福强路4001号文化创意园A座513
联系人：郑小姐
手机号码：18926036359
联系电话：0755-82796668
传真：0755-83235989
邮编：518000
邮箱：2973016636@qq.com
QQ：2973016636